pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要,其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中,發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2024-12-23