原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品及廠家

AD-230LP 原子層沉積設(shè)備
ad-230lp 原子層沉積設(shè)備是一種原子層沉積（ald）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過表面反應(yīng)進行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應(yīng)室，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。
更新時間:2024-08-15
原子層沉積ALD
kurt j. lesker company （kjlc） ald150le™是我們但其靈活的原子層沉積 （ald） 系統(tǒng)，為入門到中用戶而設(shè)計。該ald150le™配置為純熱原子層沉積，工藝室設(shè)計促進了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進一步增強了系統(tǒng)性能。總體而言，該ald150le™在緊湊的設(shè)計中提供了的靈活性和性能，而不會犧牲可維護性。
更新時間:2024-08-15
原子層沉積ALD
veeco 是全球先的原子層沉積 （ald） 系統(tǒng)供應(yīng)商，為研究和工業(yè)提供全面的服務(wù)和多功能的交鑰匙系統(tǒng)，這些系統(tǒng)易于訪問、經(jīng)濟實惠且精確到原子尺度。薄膜沉積是我們的長。我們的 savannah&
更新時間:2024-08-14
原子層沉積ALD
phoenix®系統(tǒng)經(jīng)過精心設(shè)計，可在從中試生產(chǎn)到工業(yè)制造的任何制造環(huán)境中實現(xiàn)高吞吐量和長的正常運行時間。技術(shù)人員和研究人員依靠 phoenix® 在平面和 3d 基板上實現(xiàn)可
更新時間:2024-08-14
等離子增強原子層沉積PEALD
我們的 fiji® 系列是一種模塊化、高真空熱原子層沉積系統(tǒng)，采用靈活的架構(gòu)和多種驅(qū)體和等離子體氣體配置，可適應(yīng)各種沉積模式。fiji g2 是下一代 ald 系統(tǒng)，能夠執(zhí)行熱成像和等離子體增強沉積。
更新時間:2024-08-14
原子層沉積ALD
beneq tfs 200 是有史以來靈活的原子層沉積研究平臺，為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計。beneq tfs 200 經(jīng)過門設(shè)計，可大限度地減少多用戶研究環(huán)境中可能發(fā)生的任何交叉污染。tfs 500 是薄膜鍍膜應(yīng)用的理想選擇。作為第一個 beneq 反應(yīng)器模型，已被證明是用于深入研究原子層沉積研究和穩(wěn)健批處理的多功能工具。tfs 500 是多項目環(huán)境的理想工具。
更新時間:2024-08-13
原子層沉積ALD
用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 genesis ald 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。
更新時間:2024-08-13
原子層沉積ALD
beneq p400a 為以優(yōu)化的批量大小涂覆不同類型的基材而設(shè)計 - 足夠大以提供顯著的容量，但又足夠小以在批次和較短的循環(huán)時間內(nèi)保持出色的均勻性。我們的客戶將 p400a 用于光學(xué)鍍膜和在玻璃或金屬板上使用 ald 的應(yīng)用。
更新時間:2024-08-13
原子層沉積ALD
beneq p800 門設(shè)計用于涂覆復(fù)雜形狀的大零件或大批量的小零件。我們的客戶將 p800 用于光學(xué)鍍膜、半導(dǎo)體設(shè)備部件的防腐鍍膜，以及在玻璃或金屬板上使用 ald 的各種應(yīng)用。
更新時間:2024-08-13
空間原子層沉積ALD
beneq c2r 將等離子體增強原子層沉積 （peald） 工藝提升到一個全新的水平 – peald 可用于大批量生產(chǎn)。由于采用等離子體增強旋轉(zhuǎn)原子層沉積工藝，beneq c2r 是厚原子層沉積膜的理想選擇，甚至可達幾微米。
更新時間:2024-08-13
原子層沉積ALD
beneq p1500 是我們大的原子層沉積系統(tǒng)，門用于涂覆大型板材和復(fù)雜零件。它還用于為較小組件的批次提供更高的吞吐量。我們的客戶將 p1500 用于大直徑基板上的光學(xué)鍍膜、半導(dǎo)體設(shè)備部件的防腐鍍膜，以及在玻璃或金屬板上使用 ald 的各種應(yīng)用。
更新時間:2024-08-13
原子層沉積ALD
beneq transform在其多功能性和適應(yīng)性方面建立了全新的ald集群工具產(chǎn)品，以滿足廣泛的應(yīng)用和細分市場的需求。beneq transform 配置多個 ald 工藝模塊，以滿足特定的晶圓容量要求，或者在以后進行升，以響應(yīng)不斷增長的數(shù)量或新的 ald 應(yīng)用。
更新時間:2024-08-13
ALD
beneq transform 300 是一個高度通用的制造平臺，面向致力于 cis、電源、micro-oled/led、先進封裝和其他 mtm 應(yīng)用的 idm 和代工廠。它是一種高度可配置的解決方案，適用于多種高薄膜應(yīng)用，從柵電介質(zhì)到鈍化和/或封裝等。
更新時間:2024-08-13
ALD
beneq prodigy™ 是 vcsel、led 和 mems 制造商和代工廠的理想制造解決方案，他們希望通過經(jīng)濟實惠的獨立 ald 批處理工具提高設(shè)備性能和可靠性。beneq prodigy 為多種晶圓類型和尺寸提供同類佳的鈍化和/或封裝膜。
更新時間:2024-08-13
原子層沉積
用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 genesis ald 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。多種 ald 材料可供選擇，可滿足您的要求。 多年來，beneq 一直是用于研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)的卷對卷原子層沉積系統(tǒng)的先驅(qū)。我們的常用材料包括 al?o?、tio?、zno、zns、sio? 或可根據(jù)要求提供的任何其他材料。
更新時間:2024-08-09
原子層沉積（ALD）系統(tǒng)
ad-230lp是一種原子層沉積（ald）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過表面反應(yīng)進行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應(yīng)室，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。
更新時間:2024-06-25
TFS 200原子層沉積ALD
tfs 200 是一款適用于科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的靈活的 ald 平臺。 tfs 200 是為多用戶研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至低而特別設(shè)計的。
更新時間:2024-06-04

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