單晶爐產(chǎn)品及廠家

旋轉(zhuǎn)接頭
rxb型旋轉(zhuǎn)接頭是針對醫(yī)藥、鋰電、半導體、光伏行業(yè)需要冷卻或加熱輥、軸類的應(yīng)用而設(shè)計，該產(chǎn)品是連接固定管路與旋轉(zhuǎn)設(shè)備的過渡裝置，精密研磨的密封、均衡暢通的設(shè)計保證了流體的可靠密封與流通。rxb型旋轉(zhuǎn)接頭由兩個帶軸承保護裝置的潤滑軸承支撐。rxb型旋轉(zhuǎn)接頭采用碳石墨或碳化硅與碳化鎢組成的摩擦副密封，因此也可間歇干運轉(zhuǎn)。外殼和轉(zhuǎn)子由304不銹鋼制成，也可以用316l不銹鋼制造，耐腐蝕。
更新時間:2024-10-06
直拉法晶體生長系統(tǒng)單晶爐
cgs-lab單晶爐是pva產(chǎn)品線中小的直拉法晶體生長系統(tǒng)，門為研究所和實驗室設(shè)計。10 英寸熱系統(tǒng)的設(shè)計用于多 5 公斤的加料量和生長直徑為 100 毫米、長度為 300 毫米的硅錠。設(shè)備開爐狀態(tài)時高度為3.4米，對安裝場地的高度要求相當?shù)。晶體提升速度和旋轉(zhuǎn)速度適用于生產(chǎn)特定尺寸的晶棒。
更新時間:2024-08-15
區(qū)熔晶體生長系統(tǒng)
fz-30和fz-35區(qū)熔晶體生長系統(tǒng)為工業(yè)生產(chǎn)直徑達200毫米（8英寸）的單晶硅晶體而設(shè)計。根據(jù)源棒的尺寸，可以拉出長度為2000毫米的晶體。在這個過程中，晶體的直徑和液態(tài)區(qū)的高度可以用攝像系統(tǒng)來監(jiān)測。該系統(tǒng)采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過程中的污染。
更新時間:2024-08-15
單晶爐
直拉法晶體生長系統(tǒng)cgs1218單晶爐，為符合半導體行業(yè)的嚴格要求而設(shè)計。該系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，且可以配置鋼絲軟軸或硬軸。配合特殊的晶體軸配置能夠達到高的精度，因此確保了提拉速度的線性可調(diào)和可重復性。
更新時間:2024-08-15
直拉法晶體生長系統(tǒng)單晶爐
直拉法晶體生長系統(tǒng)單晶爐sc28為200-300毫米（8-12英寸）單晶硅的工業(yè)生產(chǎn)而設(shè)計。該系統(tǒng)可靈活配置，滿足客戶對產(chǎn)品的特殊要求，例如客戶要求的爐室部件的旋出方向，或?qū)⒏鞣N不同的泵組和除塵罐系統(tǒng)連接到真空系統(tǒng)等要求。為200-300毫米（8-12英寸）單晶硅的工業(yè)生產(chǎn)而設(shè)計。該系統(tǒng)可靈活配置，滿足客戶對產(chǎn)品的特殊要求，例如客戶要求的爐室部件的旋出方向，或?qū)⒏鞣N不同
更新時間:2024-08-15
直拉法晶體生長系統(tǒng)單晶爐
直拉法晶體生長系統(tǒng)單晶爐sc 24為單晶硅晶體（硅錠）的工業(yè)生產(chǎn)而研發(fā)。該系統(tǒng)的模塊化設(shè)計理念可根據(jù)客戶的需求而進行靈活的調(diào)整。低能耗優(yōu)化設(shè)計的24英寸熱系統(tǒng)（熱場）可以實現(xiàn)160公斤填料（無需加料器），生產(chǎn)直徑 230 毫米 (9英寸) 的晶體。根據(jù)直徑和裝載量的不同，該設(shè)備可拉制的晶體大長度為 2.9 米。拉晶速度大可達到10毫米/分鐘，晶轉(zhuǎn)和堝轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速高達35轉(zhuǎn)/分鐘。
更新時間:2024-08-15
MPCVD鉆石生長設(shè)備-微波等離子體(CVD)系統(tǒng)-人造鉆石設(shè)備
成都沃特塞恩電子研發(fā)生產(chǎn)的 hmps-2080sp的微波等離子體cvd設(shè)備2023年新推出的一款多用途、高性能的適用于高品質(zhì)金剛石及多種碳基材料制備的綜合實驗和產(chǎn)業(yè)化設(shè)備，該設(shè)備可提供2英寸的金剛石材料生長能力。微波功率8kw，微波頻率2450mhz。
更新時間:2023-07-11

最新產(chǎn)品
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