PNI電子羅盤模塊TCM5(極端精確三軸羅盤):。測量參數(shù):航向,磁場強度,傾角和翻滾角。測量:航向360度,傾斜±90度,翻滾±180度。航向精度:0.3゜(當傾斜小于70゜);0.5゜(當傾斜大于70゜),(分辨率0.1゜,重復性0.05゜)。傾斜精度:0.2゜(分辨率0.01゜,重復性0.05゜)。翻滾精度:0.2゜(當傾斜小于65゜);0.5゜(當傾斜小于80゜);1゜(當傾斜小于86゜),(分辨率0.1゜)。傾斜范圍:±90゜;翻滾角:±180゜。磁場測量范圍:±0.8高斯(分辨率:500微高斯)。工作電壓:3.6到5VDC(Unregulated)。尺 寸:3.5×4.3×1.3 cm。工作溫度:-40 ℃到 +85 ℃。存儲溫度:-40 ℃到 +125 ℃。數(shù)字輸出:RS232(300-115200波特)。采樣率: 20次/秒。低功耗:〈20毫安(睡眠狀態(tài)0.6毫安)。帶硬磁,軟磁和傾角補償
PNI電子羅盤模塊TCM2.5(三軸羅盤):。測量參數(shù):航向,磁場強度,傾斜角和翻滾角。航向精度:0.8゜(分辨率0.1゜,重復性0.1゜)。傾斜精度:0.2゜(分辨率0.1゜,重復性0.1゜)。翻滾精度:0.2゜(分辨率0.1゜)。傾斜范圍:±50゜。磁場測量范圍:±0.8高斯(分辨率:500微高斯)。工作電壓:5VDC(Regulated)或6到18VDC(Unregulated)。尺 寸:6.5×5.1×1.4 cm。工作溫度:-20 ℃到 +75 ℃。存儲溫度:-40 ℃到 +85 ℃。數(shù)字輸出:RS232(300-115200波特)。采樣率: 20次/秒。低功耗:〈20毫安(睡眠狀態(tài)0.6毫安)。帶硬磁補償
MW-CS02三維電子羅盤采用全固態(tài)器件、內嵌溫度傳感器和溫度補償算法,可測量載體的航向和傾斜角。產品在設計時T充分考慮了用戶需求和產品繼承性,其性能指標、數(shù)據(jù)格式、命令格式、安裝尺寸均與TCM2-20相兼容。TCM2-20的原用戶可直接選用該產品,而無須對安裝結構和軟件進行修改。
· 抗干擾能力強
· 溫度自動補償
· 動態(tài)性能好
· 全固態(tài)設計
· 磁場信息輸出
航向信息
水平精度:±0.5º RMS
分 辨 率:0.1º
重 復 率:±0.1º
傾斜信息
精 度:±0.2º
分 辨 率:0.1º
重 復 率:±0.2º
范 圍:±50º
磁場信息
精 度:±0.2 µT
分 辨 率:0.01 µT
重 復 性:±0.2 µT
范 圍:±80 µT
溫度信息
范 圍:-40ºC to +85ºC
電 源
供電電壓:5VDC
電 流:55 mA
物理參數(shù)
尺 寸:2.50" x 2.00" x 1.25"
重 量:35g
環(huán)境特征
操作溫度:-20ºC to 70ºC
存儲溫度:-30ºC to 90ºC
接口特征
數(shù) 字:RS232C, NMEA0183
模 擬:0-5 V 線性
PNI電子羅盤模塊JL3CMT(三軸羅盤):。測量參數(shù):航向,磁場強度,傾斜角和翻滾角。航向精度:0.8゜(分辨率0.1゜,重復性0.1゜)。傾斜精度:0.2゜(分辨率0.1゜,重復性0.1゜)。翻滾精度:0.2゜(分辨率0.1゜)。傾斜范圍:±50゜。磁場測量范圍:±0.8高斯(分辨率:500微高斯)。工作電壓:5VDC(Regulated)或6到18VDC(Unregulated)。尺 寸:6.5×5.1×1.4 cm。工作溫度:-20 ℃到 +75 ℃。存儲溫度:-40 ℃到 +85 ℃。數(shù)字輸出:RS232(300-115200波特)。采樣率: 20次/秒。低功耗:〈20毫安(睡眠狀態(tài)0.6毫安)。帶硬磁補償 |
PNI電子羅盤模塊JL3CMF(極端精確三軸羅盤):。測量參數(shù):航向,磁場強度,傾角和翻滾角。測量:航向360度,傾斜±90度,翻滾±180度。航向精度:0.3゜(當傾斜小于70゜);0.5゜(當傾斜大于70゜),(分辨率0.1゜,重復性0.05゜)。傾斜精度:0.2゜(分辨率0.01゜,重復性0.05゜)。翻滾精度:0.2゜(當傾斜小于65゜);0.5゜(當傾斜小于80゜);1゜(當傾斜小于86゜),(分辨率0.1゜)。傾斜范圍:±90゜;翻滾角:±180゜。磁場測量范圍:±0.8高斯(分辨率:500微高斯)。工作電壓:3.6到5VDC(Unregulated)。尺 寸:3.5×4.3×1.3 cm。工作溫度:-40 ℃到 +85 ℃。存儲溫度:-40 ℃到 +125 ℃。數(shù)字輸出:RS232(300-115200波特)。采樣率: 20次/秒。低功耗:〈20毫安(睡眠狀態(tài)0.6毫安)。帶硬磁,軟磁和傾角補償