抗干擾介質(zhì)損耗測試儀抗干擾介質(zhì)損耗測試儀廠家
抗干擾介質(zhì)損耗測試儀一、概說
智能化介質(zhì)損耗測試儀它淘汰了ＱＳＩ高壓電橋，具有操作簡單、中文顯示、打印，使用方便、無需換算、自帶高壓，抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。JSY—03體積小、重量輕，是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測試儀。 二、PY型智能化介質(zhì)損耗測試儀結(jié)構(gòu)儀器為升壓與測量一體化結(jié)構(gòu)，輸出電壓２.5KＶ～１０ＫＶ五檔可調(diào)，以適應(yīng)各種需要，在測量時(shí)無需任何外部設(shè)備。接線與ＱＳＩ電橋相似，但比其方便。圖一為儀器操作面板圖，圖二為儀器接線端面圖。 http://www.yzjldq.com http://www.jl6699.com http://www.jl9966.com ⑴ 顯示窗————————液晶顯示屏。 ⑵ 試驗(yàn)電壓選擇開關(guān)———當(dāng)開關(guān)置于“關(guān)"時(shí)，儀器無高壓輸出。 ⑶ 操作鍵盤———————選擇測量方式、起動(dòng)、停止、打印等操作。 ⑷ 電源插座——————— 保險(xiǎn)絲用５Ａ。 ⑸ 電源開關(guān)———————電源通斷。 ⑹ 起動(dòng)燈————————指示高壓輸出。 ⑺ 打印機(jī)————————打印測試結(jié)果。 ★★★★⑻ 接地端子——————使用前，必須將該端子接地。！ ★⑼測量電流輸入端ＩＸ———有兩個(gè)出線頭，中心頭(紅色，有ＣＸ標(biāo)記)應(yīng)與被試品一端相接，屏蔽頭(黑色，有Ｅ標(biāo)記)是儀器內(nèi)部高壓輸出一個(gè)參考端，在正接法測量時(shí)應(yīng)接地；在反接法測量時(shí)應(yīng)浮空；外接法參見“外接高壓法"。 ★⑽ 標(biāo)準(zhǔn)電流輸入端ＩＮ———僅當(dāng)外接標(biāo)準(zhǔn)電容器進(jìn)行測量時(shí)才用，該端應(yīng)與外接 標(biāo)準(zhǔn)電容器一端相連。ＩＮ必須小于１00ｍＡ。！ ⑾ 測量高壓輸出端ＵＨ——只有一個(gè)大鐵夾出線頭(有ＵＨ標(biāo)記)，與被試品一端 相接。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀
GB/T1409測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻
（包括米波波長在內(nèi)）
下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀1、范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15Hz〜300MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法，并由此計(jì)算某些數(shù)值，如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法，也能用于其他頻率下測量。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān)，例如頻率、溫度、濕度，在特殊情況下也與電場強(qiáng)度有關(guān)。
有時(shí)在超過1000V的電壓下試驗(yàn)，則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng)，對(duì)此不予論述。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀2、規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的zui新版本。凡是不注日期的引用文件，其zui新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
IEC60247:1978 液體絕緣材料相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀3、術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
3.1
相對(duì)電容率relative permittivity
ε r
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時(shí)，其電容Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容Co之比；
……………………………（1）
式中；
εr——相對(duì)電容率;
Cx——充有絕緣材料時(shí)電容器的電極電容；
Co——真空中電容器的電極電容。
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對(duì)電容率ε r等于1.00053，因此，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Cx來代替Co測量相對(duì)電容率εr時(shí)，也有足夠的精確度。
在一個(gè)測量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對(duì)電容率εr與真空電氣常數(shù)εr的乘積。
在SI制中，絕對(duì)電容率用法/米（F/m）表示。而且，在SI單位中，電氣常數(shù)εr，為：
……………………………（2）
在本標(biāo)準(zhǔn)中，用皮法和厘米來計(jì)算電容，真空電氣常數(shù)為:ε0=0.088 54 pF/cm
3.2
介質(zhì)損耗角dielectric loss angle
δ
由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。
3.3
介質(zhì)損耗因數(shù)1） dielectric dissipation factor
tanδ
損耗角δ的正切。
3.4
[介質(zhì)]損耗指數(shù) [dielectric] loss index
ε＇＇r
該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對(duì)電容率εr的乘積。
3.5
復(fù)相對(duì)電容率 complex relative permittivity
εr
由相對(duì)電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的：
式中：
εr——復(fù)相對(duì)電容率；
ε＇＇r——損耗指數(shù)；
ε＇r、εr——相對(duì)電容率；
tanδ——介質(zhì)損耗因數(shù)。
注：有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示，或用電容CP和電阻RP（或電導(dǎo)CP）并聯(lián)電路表示。
并聯(lián)等值電路 串聯(lián)等值電路
式中：
Cs——串聯(lián)電容；
Rs——串聯(lián)電阻；
1）有些國家用“損耗角正切”來表示“介質(zhì)損耗因數(shù)”，因?yàn)閾p耗的測量結(jié)果是用損耗角的正切來報(bào)告的。
CP——并聯(lián)電容；
RP——并聯(lián)電阻。
雖然以并聯(lián)電路表示一個(gè)具有介質(zhì)損耗的絕緣材料通常是合適的，但在單一頻率下，有時(shí)也需要以電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路來表示。
串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間，成立下列關(guān)系：
式（9）、（10）、（11）中：Cs、Rs、CP、RP、tanδ同式（7）、（8）。
無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法，其介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ是相等的。
假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結(jié)果，且tanδ太大而在式（9）中不能被忽略，則在計(jì)算電容率前必須先計(jì)算并聯(lián)電容。
本標(biāo)準(zhǔn)中的計(jì)算和測量是根據(jù)電流（ω=πf）正弦波形作出的。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀4、電氣絕緣材料的性能和用途
4.1電介質(zhì)的用途
電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面：
用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣；
用作電容器介質(zhì)。
4.2影響介電性能的因素
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。
4.2.1頻率
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
4.2.2溫度
損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)最大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)最大值位置。
4.2.3濕度
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的。
注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。
4.2.4電場強(qiáng)度
存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀5、試樣和電極
5.1固體絕緣材料
5.1.1試樣的幾何形狀
測定材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)，zui好采用板狀試樣，也可采用管狀試樣。
在測定電容率需要較高精度時(shí)，最大的誤差來自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚度應(yīng)足夠大，以滿足測量所需要的精確度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化。對(duì)1%的精確度來講，1.5mm的厚度就足夠了，但是對(duì)于更高精確度，zui好是采用較厚的試樣，例如6mm〜12mm。測量厚度必須使測量點(diǎn)有規(guī)則地分布在整個(gè)試樣表面上，且厚度均勻度在±1%內(nèi)。如果材料的密度是已知的，則可用稱量法測定厚度。選取試樣的面積時(shí)應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣電容。測量10pF的電容時(shí)，使用有良好屏蔽保護(hù)的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約1pF，因此試樣應(yīng)薄些，直徑為10cm或更大些。
需要測低損耗因數(shù)值時(shí)，很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引人的損耗要盡可能地小，即被測電容和該電阻的乘積要盡可能小。同樣，被測電容對(duì)總電容的比值要盡可能地大。第一點(diǎn)表示導(dǎo)線電阻要盡可能低及試樣電容要小,第二點(diǎn)表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小，且試樣電容要大。因此試樣電容zui好取值為20pF，在測量回路中，與試樣并聯(lián)的電容不應(yīng)大于約5pF，
5.1.2電極系統(tǒng)
5.1.2.1加到試樣上的電極
電極可選用5.1.3中任意一種。如果不用保護(hù)環(huán)，而且試樣上下的兩個(gè)電極難以對(duì)齊時(shí)，其中一個(gè)電極應(yīng)比另一個(gè)電極大些。已經(jīng)加有電極的試樣應(yīng)放置在兩個(gè)金屬電極之間，這兩個(gè)金屬電極要比試樣上的電極稍小些。對(duì)于平板形和圓柱形這兩種不同電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式以及邊緣電容近似計(jì)算的經(jīng)驗(yàn)公式由表1給出。
對(duì)于介質(zhì)損耗因數(shù)的測量，這種類型的電極在高頻下不能滿足要求，除非試樣的表面和金屬板都非常平整。圖1所示的電極系統(tǒng)也要求試樣厚度均勻。.
5.1.2.2試樣上不加電極
表面電導(dǎo)率很低的試樣可以不加電極而將試樣插入電極系統(tǒng)中測量，在這個(gè)電極系統(tǒng)中，試樣的一側(cè)或兩側(cè)有一個(gè)充滿空氣或液體的間隙。
平板電極或圓柱形電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式由表3給出。
下面兩種型式的電極裝置特別合適.
5.1.2.2.1空氣填充測微計(jì)電極
當(dāng)試樣插入和不插人時(shí)，電容都能調(diào)節(jié)到同一個(gè)值，不需進(jìn)行測量系統(tǒng)的電氣校正就能測定電容率。電極系統(tǒng)中可包括保護(hù)電極。
5.1.2.2.2流體排出法
在電容率近似等于試樣的電容率，而介質(zhì)損耗因數(shù)可以忽略的一種液體內(nèi)進(jìn)行測量，這種測量與試樣厚度測量的精度關(guān)系不大。當(dāng)相繼采用兩種流體時(shí)，試樣厚度和電極系統(tǒng)的尺寸可以從計(jì)算公式中消去。
試樣為與試驗(yàn)池電極直徑相同的圓片，或?qū)y微計(jì)電極來說，試樣可以比電極小到足以使邊緣效應(yīng)忽略不計(jì)。在測微計(jì)電極中，為了忽略邊緣效應(yīng)，試樣直徑約比測微計(jì)電極直徑小兩倍的試樣厚度。
5.1.2.3邊緣效應(yīng)
為了避免邊緣效應(yīng)引起電容率的測量誤差，電極系統(tǒng)可加上保護(hù)電極。保護(hù)電極的寬度應(yīng)至少為兩倍的試樣厚度，保護(hù)電極和主電極之間的間隙應(yīng)比試樣厚度小。假如不能用保護(hù)環(huán)，通常需對(duì)邊緣電容進(jìn)行修正，表1給出了近似計(jì)算公式。這些公式是經(jīng)驗(yàn)公式，只適用于規(guī)定的幾種特定的試樣形狀。
此外，在一個(gè)合適的頻率和溫度下，邊緣電容可采用有保護(hù)環(huán)和無保護(hù)環(huán)的（比較）測量來獲得，用所得到的邊緣電容修正其他頻率和溫度下的電容也可滿足精度要求。
5.1.3構(gòu)成電極的材料
5.1.3.1金屬箔電極
用極少量的硅脂或其他合適的低損耗粘合劑將金屬箔貼在試樣上。金屬箔可以是純錫或鉛，也可以是這些金屬的合金，其厚度最大為100μm，也可使用厚度小于10μm的鋁箔。但是，鋁箔在較高溫度下易形成一層電絕緣的氧化膜，這層氧化膜會(huì)影響測量結(jié)果，此時(shí)可使用金箔。
5.1.3.2燒熔金屬電極
燒熔金屬電極適用于玻璃、云母和陶瓷等材料，銀是普遍使用的，但是在高溫或高濕下，zui好采用金。
5.1.3.3噴鍍金屬電極
鋅或銅電極可以噴鍍?cè)谠嚇由，它們能直接在粗糙的表面上成膜。這種電極還能噴在布上，因?yàn)樗鼈儾淮┩阜浅Ｐ〉目籽邸?/span>
5.1.3.4陰極蒸發(fā)或高真空蒸發(fā)金屬電極
假如處理結(jié)果既不改變也不破壞絕緣材料的性能，而且材料承受高真空時(shí)也不過度逸出氣體，則本方法是可以采用的。這一類電極的邊緣應(yīng)界限分明。
5.1.3.5汞電極和其他液體金屬電極
把試樣夾在兩塊互相配合好的凹模之間，凹模中充有液體金屬，該液體金屬必須是純凈的。汞電極不能用于高溫，即使在室溫下用時(shí)，也應(yīng)采取措施，這是因?yàn)樗恼魵馐怯卸镜摹?/span>
伍德合金和其他低熔點(diǎn)合金能代替汞。但是這些合金通常含有鎘，鎘象汞一樣，也是毒性元素。這些合金只有在良好抽風(fēng)的房間或在抽風(fēng)柜中才能用于100℃以上，且操作人員應(yīng)知道可能產(chǎn)生的健康危害。
5.1.3.6導(dǎo)電漆
無論是氣干或低溫烘干的高電導(dǎo)率的銀漆都可用作電極材料。因?yàn)榇朔N電極是多孔的，可透過濕氣，能使試樣的條件處理在涂上電極后進(jìn)行，對(duì)研究濕度的影響時(shí)特別有用。此種電極的缺點(diǎn)是試樣涂上銀漆后不能馬上進(jìn)行試驗(yàn)，通常要求12h以上的氣干或低溫烘干時(shí)間，以便去除所有的微量溶劑，否則，溶劑可使電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)增加。同時(shí)應(yīng)注意漆中的溶劑對(duì)試樣應(yīng)沒有持久的影響。
要使用刷漆法做到邊緣界限分明的電極較困難，但使用壓板或壓敏材料遮框噴漆可克服此局限。但在極高的頻率下，因銀漆電極的電導(dǎo)率會(huì)非常低，此時(shí)則不能使用。
5.1.3.7石墨
一般不推薦使用石墨，但是有時(shí)候也可采用，特別是在較低的頻率下。石墨的電阻會(huì)引起損耗的顯著增大，若采用石墨懸浮液制成電極，則石墨還會(huì)穿透試樣。
5.1.4電極的選擇
5.1.4.1板狀試樣
考慮下面兩點(diǎn)很重要：
a）不加電極，測量時(shí)快而方便，并可避免由于試樣和電極間的不良接觸而引起的誤差。
b）若試樣上是加電極的，由測量試樣厚度h時(shí)的相對(duì)誤差△h/h所引起的相對(duì)電容率的相對(duì)誤差△εr/εr可由下式得到：
……………………………（12）
式中：
△εr——相對(duì)電容率的偏差；
εr——相對(duì)電容率；
h——試樣厚度；
Ah——試樣厚度的偏差。
若試樣上加電極，且試樣放在有固定距離S>h的兩個(gè)電極之間，這時(shí)
……………………………（13）
式中：
△εr、εr、h同式（12）。
εr——試樣浸入所用流體的相對(duì)電容率，對(duì)于在空氣中的測量則εr等于1。
對(duì)于相對(duì)電容率為10以上的無孔材料，可采用沉積金屬電極。對(duì)于這些材料，電極應(yīng)覆蓋在試樣的整個(gè)表面上，并且不用保護(hù)電極。對(duì)于相對(duì)電容率在3〜10之間的材料，能給出最高精度的電極是金屬箔、汞或沉積金屬，選擇這些電極時(shí)要注意適合材料的性能。若厚度的測量能達(dá)到足夠精度時(shí)，試樣上不加電極的方法方便而更可取。假如有一種合適的流體，它的相對(duì)電容率已知或者能很準(zhǔn)確地測出，則采用流體排出法是zui好的。
5.1.4.2管狀試樣
對(duì)管狀試樣而言，最合適的電極系統(tǒng)將取決于它的電容率、管壁厚度、直徑和所要求的測量精度。一般情況下，電極系統(tǒng)應(yīng)為一個(gè)內(nèi)電極和一個(gè)稍為窄一些的外電極和外電極兩端的保護(hù)電極組成，外電極和保護(hù)電極之間的間隙應(yīng)比管壁厚度小。對(duì)小直徑和中等直徑的管狀試樣，外表面可加三條箔帶或沉積金屬帶，中間一條用作為外電極（測量電極），兩端各有一條用作保護(hù)電極。內(nèi)電極可用汞，沉積金屬膜或配合較好的金屬芯軸。
高電容率的管狀試樣，其內(nèi)電極和外電極可以伸展到管狀試樣的全部長度上，可以不用保護(hù)電極。
大直徑的管狀或圓筒形試樣，其電極系統(tǒng)可以是圓形或矩形的搭接，并且只對(duì)管的部分圓周進(jìn)行試驗(yàn)。這種試樣可按板狀試樣對(duì)待，金屬箔、沉積金屬膜或配合較好的金屬芯軸內(nèi)電極與金屬箔或沉積金屬膜的外電極和保護(hù)電極一起使用。如采用金屬箔做內(nèi)電極，為了保證電極和試樣之間的良好接觸，需在管內(nèi)采用一個(gè)彈性的可膨脹的夾具。
對(duì)于非常準(zhǔn)確的測量，在厚度的測量能達(dá)到足夠的精度時(shí)，可采用試樣上不加電極的系統(tǒng)。對(duì)于相對(duì)電容率εr不超過10的管狀試樣，最方便的電極是用金屬箔、汞或沉積金屬膜。相對(duì)電容率在10以上的管狀試樣，應(yīng)采用沉積金屬膜電極；瓷管上可采用燒熔金屬電極。電極可像帶材一樣包覆在管狀試樣的全部圓周或部分圓周上。
5.2液體絕緣材料
5.2.1試驗(yàn)池的設(shè)計(jì)
對(duì)于低介質(zhì)損耗因數(shù)的待測液體，電極系統(tǒng)最重要的特點(diǎn)是：容易清洗、再裝配（必要時(shí)）和灌注液體時(shí)不移動(dòng)電極的相對(duì)位置。此外還應(yīng)注意：液體需要量少，電極材料不影響液體，液體也不影響電極材料，溫度易于控制，端點(diǎn)和接線能適當(dāng)?shù)仄帘；支撐電極的絕緣支架應(yīng)不浸沉在液體中，還有，試驗(yàn)池不應(yīng)含有太短的爬電距離和尖銳的邊緣，否則能影響測量精度。
滿足上述要求的試驗(yàn)池見圖2〜圖4。電極是不銹鋼的，用硼硅酸鹽玻璃或石英玻璃作絕緣，圖2和圖3所示的試驗(yàn)池也可用作電阻率的測定，1EC 60247:1978對(duì)此已詳細(xì)敘述。
由于有些液體如氯化物，其介質(zhì)損耗因數(shù)與電極材料有明顯的關(guān)系，不銹鋼電極不總是最合適的。有時(shí)，用鋁和杜拉鋁制成的電極能得到比較穩(wěn)定的結(jié)果。
5.2.2試驗(yàn)池的準(zhǔn)備
應(yīng)用一種或幾種合適的溶劑來清洗試驗(yàn)池，或用不含有不穩(wěn)定化合物的溶劑多次清洗？梢酝ㄟ^化學(xué)試驗(yàn)方法檢查其純度，或通過一個(gè)已知的低電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的液體試樣測量的結(jié)果來確定。3試驗(yàn)池試驗(yàn)幾種類型的絕緣液體時(shí)，若單獨(dú)使用溶劑不能去除污物，可用一種柔和的擦凈劑和水來清潔試驗(yàn)池的表面。若使用一系列溶劑清洗時(shí)則最后要用最大沸點(diǎn)低于100°C的分析級(jí)的石油醚來再次清洗，或者用任一種對(duì)一個(gè)已知低電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的液體測量能給出正確值的溶劑來清洗，并且這種溶劑在化學(xué)性質(zhì)上與被試液體應(yīng)是相似的。推薦使用下述方法進(jìn)行清洗。
試驗(yàn)池應(yīng)全部拆開，徹底地清洗各部件，用瑢劑回流的方法或放在未使用溶劑中攪動(dòng)反復(fù)洗滌方法均可去除各部件上的溶劑并放在清潔的烘箱中，在110℃左右的溫度下烘干30min。
待試驗(yàn)池的各部件冷卻到室溫，再重新裝配起來。池內(nèi)應(yīng)注人一些待試的液體，停幾分鐘后，倒出此液體再重新倒人待試液體，此時(shí)絕緣支架不應(yīng)被液體弄濕。
在上述各步驟中，各部件可用干凈的鉤針或鉗子巧妙地處理，以使試驗(yàn)池有效的內(nèi)表面不與手接觸。
注1:在同種質(zhì)量油的常規(guī)試驗(yàn)中，上面所說的淸洗步驟可以代之為在每一次試驗(yàn)后用沒有殘留紙屑的干紙簡單地擦擦試驗(yàn)池。
注2:采用溶劑時(shí)，有些溶劑特別是苯、四氧化碳、甲苯、二甲苯是有毒的，所以要注意防火及毒性對(duì)人體的影響，此外，氧化物溶劑受光作用會(huì)分解。
5.2.3試驗(yàn)池的校正
當(dāng)需要高精度測定液體電介質(zhì)的相對(duì)電容率時(shí)，應(yīng)首先用一種已知相對(duì)電容率的校正液體（如苯）來測定“電極常數(shù)＇。
“電極常數(shù)”C。的確定按式（14）:
……………………………（14）
式中：
Cc——電極常數(shù)；
Co——空氣中電極裝置的電容；
Cn——充有校正液體時(shí)電極裝置的電容；
εn——校正液體的相對(duì)電容率。
從C。和Cc的差值可求得校正電容Cg
并按照公式
來計(jì)算液體未知相對(duì)電容率εx。
式中：
Cg——校正電容；
Co——空氣中電極裝置的電容；
Cc——電極常數(shù)|
Cx——電極裝置充有被試液體時(shí)的電容；
εx——液體的相對(duì)電容率。
假如Co、Cn和Cx值是在εn是已知的某一相同溫度下測定的，則可求得最高精度的εx值。
采用上述方法測定液體電介質(zhì)的相對(duì)電容率時(shí)，可保證其測得結(jié)果有足夠的精度，因?yàn)樗擞捎诩纳娙莼螂姌O間隙數(shù)值的不準(zhǔn)確測量所引起的誤差。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀6、測置方法的選擇
測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種：零點(diǎn)指示法和諧振法。
6.1零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過50MHz時(shí)的測量。測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法；也就是在接入試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下，調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡。通；芈凡捎梦髁蛛姌、變壓器電橋（也就是互感耦合比例臂電橋）和并聯(lián)T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn)：采用保護(hù)電極不需任何外加附件或過多操作，就可采用保護(hù)電極；它沒有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)。
6.2諧振法適用于10kHz〜幾百M(fèi)Hz的頻率范圍內(nèi)的測量。該方法為替代法測量，常用的是變電抗法。但該方法不適合采用保護(hù)電極。
注：典型的電橋和電路示例見附錄。附錄中所舉的例子自然是不全面的，敘述電橋和測量方法報(bào)導(dǎo)見有關(guān)文獻(xiàn)和該種儀器的原理說明書。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀7、試驗(yàn)步驟
7.1試樣的制備
試樣應(yīng)從固體材料上截取，為了滿足要求，應(yīng)按相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)方法的要求來制備。
應(yīng)精確地測量厚度，使偏差在±（0.2%土0.005mm）以內(nèi)，測量點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要時(shí)，應(yīng)測其有效面積。
7.2條件處理
條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行。
7.3測量
電氣測量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器（電橋）制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進(jìn)行。
在1MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對(duì)測量結(jié)果的影響。此時(shí)，可采用同軸接線系統(tǒng)（見圖1所示），當(dāng)用變電抗法測量時(shí)，應(yīng)提供一個(gè)固定微調(diào)電容器。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀8、結(jié)果
8.1相對(duì)電容率εr
試樣加有保護(hù)電極時(shí)其相對(duì)電容率εr可按公式（1）計(jì)算，沒有保護(hù)電極時(shí)試樣的被測電容C＇x包括了一個(gè)微小的邊緣電容Ce，其相對(duì)電容率為：
……………………………（17）
式中：
εr——相對(duì)電容率；
C＇x——沒有保護(hù)電極時(shí)試樣的電容；
Ce——邊緣電容;
Co——法向極間電容；
Co和Ce能從表1計(jì)算得來。
必要時(shí)應(yīng)對(duì)試樣的對(duì)地電容、開關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進(jìn)行校正。
測微計(jì)電極間或不接觸電極間被測試樣的相對(duì)電容率可按表2、表3中相應(yīng)的公式計(jì)算得來。
8.2介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ
介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ按照所用的測量裝置給定的公式，根據(jù)測出的數(shù)值來計(jì)算。
8.3精度要求
在第5章和附錄A中所規(guī)定的精度是：電容率精度為±1%，介質(zhì)損耗因數(shù)的精度為±（5%±0.0005）。這些精度至少取決于三個(gè)因素：即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實(shí)測精度；所用電極裝置引起的這些量的校正精度；極間法向真空電容的計(jì)算精度（見表1）。
在較低頻率下，電容的測量精度能達(dá)±（0.1%土0.02pF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量精度能達(dá)±（2%±0.00005）。在較高頻率下，其誤差增大，電容的測量精度為±（0.5%±0，1PF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量精度為±（2%±0.0002）。
對(duì)于帶有保護(hù)電極的試樣，其測量精度只考慮極間法向真空電容時(shí)有計(jì)算誤差。但由被保護(hù)電極和保護(hù)電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點(diǎn)幾，而校正只能計(jì)算到其本身值的百分乏幾。如果試樣厚度的測量能精確到±0.005mm，則對(duì)平均厚度為1.6mm的試樣，其厚度測量誤差能達(dá)到百分之零點(diǎn)幾。圓形試樣的直徑能測定到±0.1%的精度，但它是以平方的形式引人誤差的，綜合這些因素，極間法向真空電容的測量誤差為±0.5%。
對(duì)表面加有電極的試樣的電容，若采用測微計(jì)電極測量時(shí)，只要試樣直徑比測微計(jì)電極足夠小，則只需要進(jìn)行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量兩電極試樣時(shí)，邊緣電容和對(duì)地電容的計(jì)算將帶來一些誤差，因?yàn)樗鼈兊恼`差都可達(dá)到試樣電容的2%〜40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料，計(jì)算邊緣電容的誤差為10%，計(jì)算對(duì)地電容的誤差為因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當(dāng)電極不接地時(shí)，對(duì)地電容誤差可大大減小。
采用測微計(jì)電極時(shí)，數(shù)量級(jí)是0.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的±0.0003，數(shù)量級(jí)0.0002的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的±0.00005介質(zhì)損耗因數(shù)的范圍通常是0.0001〜0.1，但也可擴(kuò)展到0.1以上。頻率在10MHz和20MHz之間時(shí)，有可能檢測出0.00002的介質(zhì)損耗因數(shù)。1〜5的相對(duì)電容率可測到其真值的±2%，該精度不僅受到計(jì)算極間法向真空電容測量精度的限制，也受到測微計(jì)電極系統(tǒng)誤差的限制。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀9、試驗(yàn)報(bào)告
試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容：
絕緣材料的型號(hào)名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期（并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況）；
試樣條件處理的方法和處理時(shí)間；
電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型；
測量儀器；
試驗(yàn)時(shí)的溫度和相對(duì)濕度以及試樣的溫度；
施加的電壓；
施加的頻率；
相對(duì)電容率εr（平均值）；
介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ（平均值）；
試驗(yàn)日期；
相對(duì)電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時(shí)，應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。
表1 真空電容的計(jì)算和邊緣校正
| （1） | 極間法向電容 （單位：皮法和厘米） （2） | 邊緣電容的校正 （單位：皮法和厘米） （3） |
| 1.有保護(hù)環(huán)的圓盤狀電極 | ||
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| 2.沒有保護(hù)環(huán)的圓盤狀電極 | ||
| a）電極直徑=試樣直徑
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| b）上下電極相等，但比試樣小
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其中：ε1 是試樣相對(duì)電容率的近似值，并且a≤h | |
表1（續(xù)）
| （1） | 極間法向電容 （單位：皮法和厘米） （2） | 邊緣電容的校正 （單位：皮法和厘米） （3） |
| c）電極直徑=試樣直徑
|
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其中：ε1 是試樣相對(duì)電容率的近似值，并且a≤h |
| 3.有保護(hù)環(huán)的圓柱形電極 | ||
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| 4.沒有保護(hù)環(huán)的圓柱形電極 | ||
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其中：ε1 是試樣相對(duì)電容率的近似值 |
試樣的相對(duì)電容率：
其中：
C＇x——電極之間被測的電容；
In——自然對(duì)數(shù)；
Ig——常用對(duì)數(shù)。
表2 試樣電容的計(jì)算——接觸式測微計(jì)電極
| 試樣電容 | 注 | 符號(hào)定義’ |
| 1.并聯(lián)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容 | CP——試樣的并聯(lián)電容 △C——取去試樣后，為恢復(fù)平衡時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容增量 Cr——在距離為r時(shí)，測微計(jì)電極的標(biāo)定電容 Cs——取去試樣后，恢復(fù)平衡，測微計(jì)電極間距為s時(shí)的標(biāo)定電容Cor，Coh——測微計(jì)電極之間試樣所占據(jù)的，間距分別為r或h的空氣電容？捎帽1中的公式1來計(jì)算r——試樣與所加電極的厚度 h——試樣厚度 相對(duì)電容率: | |
| CP=△C+Cor | 試樣直徑至少比測微計(jì)電極的直徑小2r。在計(jì)算電容率時(shí)必須采用試樣的真實(shí)厚度h和面積A。 | |
| 2.取去試樣后減少測微計(jì)電極間的距離來替代試樣電容 | ||
| CP=Cs-Cr+Cor | 試樣直徑至少比測微計(jì)電極的直徑小2r。在計(jì)算電容率時(shí)必須采用試樣的真實(shí)厚度h和面積A。 | |
| 3.并聯(lián)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容 當(dāng)試樣與電極的直徑同樣大小時(shí)，僅存在一個(gè)微小的誤差（因電極邊緣電場畸變引起0.2%〜0.5%的誤差），因而可以避免空氣電容的兩次計(jì)算。 | ||
| CP=△C+Coh | 試樣直徑等于測微計(jì)電極直徑，施于試樣上的電極的厚度為零。 | |
表3電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的計(jì)算——不接觸電極
| 相對(duì)電容率 （1） | 介質(zhì)損耗因數(shù) （2） | 符號(hào)意義 （3） |
| 1.測微計(jì)電極（在空氣中） |
| |
|
若ho 調(diào)到一個(gè)新值h＇o，而△C=0時(shí)
| tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ
| △C——試樣插人時(shí)電容的改變量（電容增加時(shí)為+號(hào)） C1——裝有試樣時(shí)的電容 C1——僅有流體時(shí)的電容，其值為εr•Co Co——所考慮的區(qū)域上的真空電容，其值為εo•A/h0 A——試樣一個(gè)面的面積，用 厘米2表示（試驗(yàn)的面積大于等于電極面積時(shí)） ε1——在試驗(yàn)溫度下的流體相對(duì)電容率（對(duì)空氣而言εr ＝1. 00) ε0——電氣常數(shù)用皮法/厘米表示 △tanδ——試樣插入時(shí)，損耗因數(shù)的增加量 tanδc——裝有試樣時(shí)的損耗因數(shù) tanδx試樣的損耗因數(shù)的計(jì)算值 d0——內(nèi)電極的外直徑 d1——試樣的內(nèi)直徑 d2試樣的外直徑 d3——外電極的內(nèi)直徑 h0——平行平板間距 h——試樣的平均厚度 M——h0 /h—1 lg――常用對(duì)數(shù) 注；在二流體法的公式中，腳注1和2分別表示第一種和第二種流體。 |
| 2. 平板電極——流體排出法 | ||
|
| tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ
| |
| 當(dāng)試樣的損耗因數(shù)小于1時(shí)，可以用下列公式: | ||
|
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| |
| 3. 圓柱形電極——流體排出法（用于tanδ小于0.1時(shí)） | ||
|
|
| |
| 4. 二流體法——平板電極（用于tanδx小于0. 1時(shí)） | ||
|
|
| |
| 1——測微計(jì)頭； | 6——微調(diào)電容器； |
| 2——連接可調(diào)電極（B)的金屬波紋管； | 7——接檢測器； |
| 3——放試樣的空間（試樣電容器M1； | 8——接到電路上； |
| 4——固定電極（A）； | 9——可調(diào)電極（B）。 |
| 5——測微計(jì)頭； |
|
圖1 用于固體介質(zhì)測量的測微計(jì)——電容器裝置
單位為毫米
| 1——內(nèi)電極； | 1——把柄； |
| 2——外電極； | 5——棚硅酸鹽或石英墊圈； |
| 3——保護(hù)環(huán)； | 6——硼硅酸鹽或石英墊圈。 |
圖2 液體測量的三電極試驗(yàn)池示例
注滿試驗(yàn)池所需的液體量大約15mL
1——溫度計(jì)插孔；
2——絕緣子；
3——過剩液體溢流的兩個(gè)出口。
圖3 測量液體的兩電極試驗(yàn)池示例
1——溫度計(jì)插孔；
2——1mm厚的金屬板；
3——石英玻璃；
4——1mm或2mm的間隙；
5——溫度計(jì)插孔
圖4 液體測量的平板兩電極試驗(yàn)池
HYB5001智能化介質(zhì)損耗測試儀
| 加工定制： | 是 | 類型： | 變壓器測試類 |
| 品牌： | 華研 | 型號(hào)： | HYB5001 |
| 測量范圍： | 10KV | 精確度： | 介損：±（2%讀數(shù)+0.09%） |
| 適用范圍： | 正接法 反接法 自激法 外接法 | 儀表重量： | 25（kg） |
| 工作電源： | 供電電源180~240VAC 50Hz（市電或發(fā)電機(jī)供電）（V） |
智能介質(zhì)損耗測試儀技術(shù)參數(shù)
1、抗干擾方式：變頻抗干擾
2、測試方式：正接法 反接法 自激法 外接法
3、測量范圍：
電容量：內(nèi)接高壓 <3pF~60000pF/10kV 60pF~1μF/0.5kV
外接高壓 3pF~0.3μF/10kV 最小分辨率0.01pF 有效數(shù)字五位
介損：不限,最小分辨率0. 01%
4、準(zhǔn)確度：
電容量：±（1.5%讀數(shù)+2pF） 介損：±（2%讀數(shù)+0.09%）
內(nèi)接試驗(yàn)電源：0.5~10kV 電壓緩升緩降 45、50、55、60、65Hz單頻
45/55Hz自動(dòng)雙頻測試 最大輸出電流200mA
自激電源3~50V變頻 最大輸出電流20A
5、測量時(shí)間：約30秒（與測量方式有關(guān)） 6、附加功能：100組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
6、輸入電源：供電電源180~240VAC 50Hz（市電或發(fā)電機(jī)供電）
7、工作環(huán)境：溫度范圍：－10℃~50℃ 相對(duì)濕度<90%
SB2204-智能化介質(zhì)損耗測試儀
http://www.1718sh.com/viewp/2425.htm
SB2204/3型智能化介質(zhì)損耗測試儀是一種新穎的測量介質(zhì)損耗角正切（tgδ）和電容值（Cx）的自動(dòng)化儀器？梢栽诠ゎl高電壓下，現(xiàn)場測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切（tgδ）和電容值（Cx）。與西林電容電橋相比，具有操作簡單、自動(dòng)測量、讀數(shù)直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容器和升電壓裝置，在“內(nèi)接"方式下使用，無需其它外接設(shè)備，便于攜帶。具有多種測量方式，可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測量。正接線可測量高壓介損。內(nèi)附SF6標(biāo)準(zhǔn)電容器，tgδ<0.005%，受空氣濕度影響小，矢量運(yùn)算法結(jié)合移相、倒相法，抗干擾效果好；能地消除強(qiáng)烈的電場干擾對(duì)測量的影響，適用于500kV極其以下電站的強(qiáng)干擾現(xiàn)場試驗(yàn)。主要特點(diǎn)：高壓短路和突然斷電時(shí)，儀器能迅速切斷高壓，并發(fā)出警告信息；測量重復(fù)性好，電壓線性好（測量度不受電壓影響）；一體化結(jié)構(gòu)，重量適中，便于攜帶；大屏幕帶背光中文液晶顯示器信息提示操作，使用方便；儀器自帶打印機(jī)，及時(shí)保存測試數(shù)據(jù)；高壓電纜連接至試品，保障安全；儀器未接地報(bào)警，安全措施完備。工作原理：儀器測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路被試回路，標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與采樣電路組成,被試回路由被試品和采樣電路組成。由8031單片機(jī)運(yùn)用計(jì)算機(jī)數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,對(duì)數(shù)以萬計(jì)的采樣數(shù)據(jù)處理后進(jìn)行矢量運(yùn)算，分別測得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位關(guān)系,并由之算出試品的電容值（Cx）和介質(zhì)損耗角正切（tgδ），測量結(jié)果，F(xiàn)場有干擾時(shí)，先利用移相、倒相法減小干擾的影響，再將被試回路測`得的電流Ix′與單獨(dú)測得的干擾電流Id矢量相加，得到真正的測量電流Ix，進(jìn)而得出正確的測量結(jié)果。由圖3可見，可根據(jù)不同的測量對(duì)象和測量需要，靈活地采用多種接線方式。如測量非接地試品（正接法）時(shí)，“LV"（E）點(diǎn)接地；而測量接地試品（反接法）時(shí)，則“HV"點(diǎn)接地。
額定工作條件：溫度0～40℃，相對(duì)濕度：30%～85%，供電電源220V±22V 50±1Hz
| 測量內(nèi)容 | tgδ范圍 | 電容量范圍（Cx） | 試品類型 | 基本誤差 |
| 介質(zhì)損 耗因數(shù) tgδ | 0～0.5 | 50pF～60000pF | 非接地 | ±（1%讀數(shù)+0.0005） |
| 接地 | ±（1%讀數(shù)+0.0010） | |||
| 10pF～50pF或 60000pF以上 | 非接地 | ±（1%讀數(shù)+0.0010） | ||
| 接地 | ±（2%讀數(shù)+0.002） | |||
| 3pF～10pF | 非接地 與接地 | |||
| 電容量 | 50pF以上 | ±（1%讀數(shù)+1pF） | ||
| 50pF以下 | ±（1%讀數(shù)+2pF） |
PSJSC-A抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
HN6000型系列智能化介質(zhì)損耗測試儀
一、概括：HN6000型系列智能化介質(zhì)損耗測試儀是一種的測量介質(zhì)損耗（ tgδ）和電容容量（ Cx ）的儀器，用于工頻高壓下，測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗（ tgδ）和電容容量（ Cx ）。它淘汰了ＱＳＩ高壓電橋，具有操作簡單、中文顯示、打印，使用方便、無需換算、自帶高壓，抗干擾能力強(qiáng) 等優(yōu)點(diǎn)。二、技術(shù)指標(biāo)１．環(huán)境溫度：０～４0℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)日照）２．相對(duì)濕度：３0％～７0％３．供電電源：電壓：２２０Ｖ±１0％，頻率：５0±１Ｈz４．外形尺寸：長×寬×高＝490mm×300mm×390mm５．重量：約18Ｋg６．輸出功率：1ＫVA７．顯示分辨率：４位８．測量范圍：介質(zhì)損耗（tgδ）：０-50％ 電容容量（Cx）和加載電壓：２.5ＫＶ檔：≤ ３00nＦ（ ３00000ｐＦ）３ＫＶ檔：≤２00nＦ（ ２00000ｐＦ）５ＫＶ檔：≤ ７6nＦ（ ７6000ｐＦ）７.５ＫＶ檔：≤ ３4nＦ（ ３4000ｐＦ）１０ＫＶ檔：≤ ２0nＦ（ ２0000ｐＦ）９．基本測量誤差：介質(zhì)損耗（tgδ）： １％±０.０7％（加載電流２０μＡ～５00ｍＡ）正接介質(zhì)損耗（tgδ）： ２％±０.０9％（加載電流。μＡ～２0μＡ）反接電容容量 （ Cx）：１.５％±１.５pＦ三、HN6000型系列智能化介質(zhì)損耗測試儀結(jié)構(gòu)儀器為升壓與測量一體化結(jié)構(gòu)，輸出電壓２.5KＶ～１０ＫＶ五檔可調(diào)，以適應(yīng)各種需要，在測量時(shí)無需任何外部設(shè)備。接線與ＱＳＩ電橋相似，但比其方便。圖一為儀器操作面板圖，圖二為儀器接線端面圖。⑴ 顯示窗————————液晶顯示屏。⑵ 試驗(yàn)電壓選擇開關(guān)———當(dāng)開關(guān)置于“關(guān)"時(shí)，儀器無高壓輸出。⑶ 操作鍵盤———————選擇測量方式、起動(dòng)、停止、打印等操作。⑷ 電源插座——————— 保險(xiǎn)絲用５Ａ。⑸ 電源開關(guān)———————電源通斷。⑹ 起動(dòng)燈————————指示高壓輸出。⑺ 打印機(jī)————————打印測試結(jié)果！铩铩铩铫 接地端子——————使用前，必須將該端子接地。！★⑼ 測量電流輸入端ＩＸ———有兩個(gè)出線頭，中心頭（紅色，有ＣＸ標(biāo)記）應(yīng)與被 試品一端相接，屏蔽頭（黑色，有Ｅ標(biāo)記）是儀器內(nèi)部高壓輸出 一個(gè)參考端，在 正接法測量時(shí)應(yīng)接地；在反接法測量時(shí)應(yīng)浮空；外接法參見“外接高壓法"！铫 標(biāo)準(zhǔn)電流輸入端ＩＮ———僅當(dāng)外接標(biāo)準(zhǔn)電容器進(jìn)行測量時(shí)才用，該端應(yīng)與外接 標(biāo)準(zhǔn)電容器 一端相連。ＩＮ必須小于１00ｍＡ。。、 測量高壓輸出端ＵＨ——只有一個(gè)大鐵夾出線頭（有ＵＨ標(biāo)記），與被試品一端 相接。
四、HN6000型系列智能化介質(zhì)損耗測試儀工作原理儀器測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路，如圖三所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成，由計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差，并由之算出被測試品的電容容值（Cx ）和其介質(zhì)損耗（tg）。數(shù)據(jù)采集電路全部采用高穩(wěn)定度器件，采集板和采集計(jì)算機(jī)被鐵盒浮空屏蔽，儀器的外殼接地屏蔽；另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù)，加之計(jì)算機(jī)對(duì)數(shù)百個(gè)電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，故測量結(jié)果穩(wěn)定、精確、。由圖三可見，儀器高壓變壓器的高壓側(cè)和測量線路都是浮地的，用戶可根據(jù)不同的測量對(duì)象和測量需要，靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法"進(jìn)行測量時(shí)，可將“Ｅ"點(diǎn)接地；而當(dāng)采用“反接線法"進(jìn)行測量時(shí)，可將“UH"點(diǎn)接地，而將E點(diǎn)浮空。圖中除測試品 Cx 外，其余為本儀器。細(xì)線框內(nèi)部分對(duì)儀器外殼能承受１5ＫＶ工頻高壓５分鐘，額定耐壓１0ＫＶ。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容ＣＮ，名義值為５0ＰＦ，tgδ≤０.0001，耐壓１0ＫＶ。高壓變壓器，額定輸出功率為1ＫＶＡ！“Ｅ"點(diǎn)為儀器的內(nèi)屏蔽與測量電纜的屏蔽層相連，不是大地，與儀器的外殼也不連通！。∥、使用方法★★★ 安全操作注意事項(xiàng)１．使用時(shí)必須將儀器的接地端子的接地。２．只有關(guān)閉儀器電源，試驗(yàn)電壓選擇開關(guān)置于“關(guān)"位置時(shí)，接觸儀器的后部及其測 量線纜與被試品才被認(rèn)為是安全的。３．儀器在測量時(shí)，嚴(yán)禁操作“試驗(yàn)電壓"選擇開關(guān)。４．★正接線法ＵＨ端為高電壓，反接線法ＩＸ端為高電壓，使用時(shí)必須根據(jù)實(shí)際情 況，將帶高壓的線纜與地保持足夠的距離。5．不得更換不符合面板指示值的保險(xiǎn)絲管，內(nèi)部一只保險(xiǎn)絲為：0.５Ａ６．使用時(shí)盡可能用廠家隨儀器提供的線纜以確保測量度。７．操作鍵盤備用—————不用？鞙y—————快速測量，無抗干擾功能？箶_—————抗干擾測量。正接—————正接法測量。打印—————在測試結(jié)果出來后，打印測試數(shù)據(jù)。反接—————反接法測量。起動(dòng)—————起動(dòng)高壓，開始測量。外接—————外接法測量。也用來選擇外接標(biāo)準(zhǔn)電容的容量。停止—————可以在測試過程中，中斷測量。測試前先用"試驗(yàn)電壓"開關(guān)選好輸出電壓，然后用“操作鍵盤"選擇好測試方式。儀器首先自檢（顯示屏、光電通訊、內(nèi)存、操作鍵、數(shù)模轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)頻率．．．），自檢通過后，進(jìn)入主目錄。這時(shí)按屏幕提示即可完成測試。進(jìn)入測量狀態(tài)后，用戶隨時(shí)可用“停止"鍵退出測量狀態(tài)。做正、反接測量時(shí)無須人工干預(yù)！镒鐾饨臃绞綔y量時(shí)，中途會(huì)顯示“請(qǐng)關(guān)閉外接高壓！"并停一下，等候人工將外加高壓關(guān)閉，關(guān)閉外高壓后，（必須關(guān)閉外加高壓），再按一次“起動(dòng)"，鍵才能完成測試！锶绻飧邏何搓P(guān)閉，則測試結(jié)果不真實(shí)！★★★ 外接標(biāo)準(zhǔn)電容的容量選擇：“外接方式"時(shí)，每按一次“外接"鍵，則顯示的外接標(biāo)準(zhǔn)電容容量“ＸＸＸＸpＦ"將改變，共八種容量供選擇（★一種為廠家調(diào)試用，用戶使用則無效。）：５0p F，１00pＦ，１50p F，200p F，５00p F，１000p F，ＸＸＸpＦ，ＸＸＸpＦ。應(yīng)選擇與外接標(biāo)準(zhǔn)電容相等的容量。如果使用的外接電容容量特殊，可請(qǐng)生產(chǎn)廠家將該電容容量輸入儀器中。如果選擇的外接標(biāo)準(zhǔn)電容與實(shí)際不相等，則測量結(jié)果會(huì)受影響。正接線法：（接線如圖四所示）通電前，先將“試驗(yàn)電壓"開關(guān)置于“關(guān)"位置。將ＵＨ端子用專用線纜的大鐵夾（有ＵＨ標(biāo)記），接至被試品的高壓端，將ＩＸ端子用另一根專用線纜的芯線線頭（紅色，有CX 標(biāo)記）接被試品CX低壓端，它的屏蔽線頭（黑色，有E標(biāo)記）接地，如果試品低壓端有屏蔽端子，可用導(dǎo)線將該端子與“Ｅ"連接后接地。通電后，按“正接"鍵。選好正接線方式：用“試驗(yàn)電壓"開關(guān)選好電壓：然后按“起動(dòng)"鍵開始測試。
反接線法：（接線如圖五所示）通電前，先將“試驗(yàn)電壓"開關(guān)置于“關(guān)"位置，將ＵＨ端子接地，將ＩＸ的芯線（有CX標(biāo)記）接至被試品CX的。通電后，按“反接"鍵，選好反接線方式；用“試驗(yàn)電壓"開關(guān)選好電壓；然后按“起動(dòng)"鍵開始測試！铩铩锾貏e注意：屏蔽“E"與ＩＸ電位接近，可接至被試品高壓端的屏蔽或者懸空，絕對(duì)不能接地！！。
外接高壓法：（接線如圖六所示）
CB為外接標(biāo)準(zhǔn)電容，CX為被試品。當(dāng)被試品要求試驗(yàn)電壓大于１0ＫＶ時(shí)，可以外接高壓進(jìn)行測量，即不使用儀器內(nèi)部高壓變壓器，而外接一臺(tái)高壓裝置進(jìn)行測量！铩铩镒⒁猓和饨痈邏悍ㄟM(jìn)行測量時(shí)，“試驗(yàn)電壓"開關(guān)必須置于“關(guān)"位置。！★★★外接高壓法時(shí)，應(yīng)外接標(biāo)準(zhǔn)電容器ＣB,不許使用儀器內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)電容器。！通電后，多次按“外接"鍵，選好外接線方式以及外接的標(biāo)準(zhǔn)電容容量，必須再將“試驗(yàn)電壓"開關(guān)置于“關(guān)"位置！調(diào)整好外接電壓，然后按“起動(dòng)"鍵開始測試。SXJS-IV型為中文液晶顯示，有中文漢字提示各類測試信息。當(dāng)測試完成后，可按“打印"鍵，打印測試結(jié)果。六、HN6000型系列智能化介質(zhì)損耗測試儀保管免費(fèi)及免費(fèi)修理期限儀器應(yīng)在原廠包裝條件下，于室內(nèi)貯存，其環(huán)境溫度為０－４0℃相對(duì)濕度為３0％－７0％，且在空氣中不應(yīng)含有足以引起腐蝕的有害物質(zhì)。儀器從冷環(huán)境突然到熱環(huán)境中時(shí)，可能有結(jié)露，應(yīng)等結(jié)露消失后再使用。每年應(yīng)打開儀器，清除由于野外作業(yè)產(chǎn)生的灰塵，特別是內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)電容處的灰塵。儀器和附件自制造廠發(fā)貨日期起１2個(gè)月內(nèi)，當(dāng)用戶在遵守制造廠使用說明書所規(guī)定的保管的使用條件下，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品制造質(zhì)量不良或不能正常工作時(shí)，制造廠負(fù)責(zé)給予修理或更換。七、儀器成套性（１）介質(zhì)損耗測試儀 １臺(tái)（２）專用測試線纜 ２根（３）保險(xiǎn)絲（５Ａ） ４只（０.５Ａ） ２只（４）電源線 １根（５）使用說明書 １份（６）產(chǎn)品合格證 １份
附錄：抗干擾探討
（一）、干擾以電容試品為例，當(dāng)工頻電壓加在電容上時(shí)，其上流過兩個(gè)電流（圖Ａ）：容性電流Ｉｃ和阻性電流Ｉｒ，合成為試品電流Ｉｘ。Ｉｃ和Ｉｒ形成的夾角δ即為介質(zhì)損耗角。當(dāng)干擾電流Ｉｇ流入試品時(shí)，與Ｉｘ合成為Ｉｇｘ，Ｉｘ與Ｉｇｘ之間的夾角β是由干擾電流Ｉｇ形成的。測量到的電流Ｉｇｘ與Ｕｃ的夾角是β＋δ與階損角δ相差很大。
（二）、方法目前，智能介質(zhì)損耗儀通常采用的抗干擾方法主要有種：（１）、移相法方法是將加到試品上的測試電壓Ｕｒ移相，使Ｕｃ與Ｉｇ同相位（Ｕｒ與Ｕｃ恒定相差９0度）,從圖Ｂ中可見，測量到的電流Ｉｇｘ與的Ｉｘ相差不大（當(dāng)干擾電流較小時(shí)），如果能再反Ｉｇ方向?qū)ⅲ眨阋葡嘁淮危瑑纱螖?shù)據(jù)合成即能地找到階損角δ（即使干擾電流較大）。（２）、變頻法現(xiàn)場測量時(shí)通常使用工頻電源，而現(xiàn)場干擾主要也是工頻，同頻率的電源相互疊加形成干擾，去除無用的干擾而保留有用測試電流是非常困難的。用非工頻電源進(jìn)行測量，則工頻電源的干擾電流與測試電流由于頻率不同，是很容易區(qū)分開的。比如，將所含有干擾混合信號(hào)的前１0ｍＳ信號(hào)，與后１0ｍＳ信號(hào)相加，就去除了工頻干擾，而測量信號(hào)不是５0Ｈｚ所以得以保留。（３）、波形分析法計(jì)算機(jī)的運(yùn)用，使大量的工程分析計(jì)算變得方便，通過對(duì)現(xiàn)場干擾的大量采集分析，結(jié)合測量到的波形，運(yùn)用高等數(shù)學(xué)理論，巧妙地去除干擾，也同樣達(dá)到目的。甚至去除一、三、五次諧波也很方便。
（三）、要求工程測量介質(zhì)損耗，通常要求能分辨出０.1％介損值是不過分的。介質(zhì)損耗：ｔｇ（δ）＝０.1％＝０.00１損耗角度：δ＝０.057°對(duì)應(yīng)時(shí)間：Ｔ＝δ／360°×２0ｍＳ＝３.183μＳ（四）、比較
干擾信號(hào)是由干擾源通過媒介施加到試品上，即使干擾源是恒定的，但傳輸媒介是空氣及其它絕緣體不是恒定介質(zhì)（圖Ｃ、圖Ｄ），所以干擾電流Ｉｇ方向隨機(jī)變化的程度≥０.057°不足為奇。要使測試電源隨時(shí)跟蹤Ｉｇ，而跟蹤角度誤差≤０．057°絕非易事。所以最終抗干擾雖然，但是測量精度不容易提高。運(yùn)行的設(shè)備（試品）在工頻下運(yùn)行，要求知道在工頻條件下的介質(zhì)損耗。理論上：介質(zhì)損耗＝２πｆＲＣ，（ｆ＝５0Ｈｚ）所以用非工頻的ｆ＇電源加在試品上所測得的介質(zhì)損耗＝２πｆ＇ＲＣ，再由這一結(jié)果推算出２πｆＲＣ易如反掌。然而運(yùn)行設(shè)備的等效Ｒ，不是理想的電阻，其中更多的是有極分子，其等效Ｒ隨頻率ｆ的變化而變化，所以盡管理論上介質(zhì)損耗與頻率成正比，而實(shí)際介質(zhì)損耗（２πｆＲＣ）不與頻率成正比。這給根據(jù)變頻２πｆ＇ＲＣ推算工頻２πｆＲＣ造成了麻煩。為了減小這個(gè)非線性誤差，ｆ＇采用接近工頻的頻率，但過分接近等于沒有變頻，這就是主要矛盾。好在大多數(shù)試品對(duì)頻率的敏感沒有那么強(qiáng)烈。所以變頻法抗干擾是比較成功的。產(chǎn)生一個(gè)有一定的功率，且又是正弦波的異頻電源有較大的難度。因?yàn)楫愵l電源波形的失真度對(duì)相角的影響很大，或者與實(shí)際工頻正弦波電源情況下所造成的介質(zhì)損耗有誤差。為了去除接近ｆ＇工頻干擾，變頻法不得不處理大量的數(shù)據(jù)，所以相對(duì)測量時(shí)間較長。（五）、SXJS-IV處理干擾的方法測試電源采用工頻，使測量與實(shí)際一
樣。交錯(cuò)分時(shí)測量干擾信號(hào)和綜合信號(hào)，將所有測到的信號(hào)都精確地鎖定在與測試電源同步的０相位上，再將干擾信號(hào)倒相與綜合信號(hào)疊加得到信號(hào)。在數(shù)字處理上，廣泛地采用數(shù)字與電子技術(shù)，剔除了相角相差１％的信號(hào)，剔除了數(shù)值較大的幾組信號(hào)，也剔除了數(shù)值較小的幾組信號(hào)，再將許多組中值信號(hào)求平均值得出結(jié)果，而每組信號(hào)都是由許多測量信號(hào)與處理后的干擾信號(hào)構(gòu)成的。在調(diào)試中所有數(shù)據(jù)都以６位數(shù)字計(jì)算。為了提高測量速度，采用雙計(jì)算機(jī)和高速并行Ａ／Ｄ轉(zhuǎn)換器處理信息，軟件全部用匯編完成。對(duì)于強(qiáng)干擾信號(hào)較精確地測出其大小不難，儀器特別設(shè)計(jì)的高精度相位鎖定器能將其地定相，為消除干擾提供了便利；對(duì)于弱干擾信號(hào)粗略地測出其大小也是可以的，而相位鎖定器并不受測量信號(hào)的大小影響，仍然定相，弱干擾本來對(duì)測量信號(hào)的影響就小，再粗略地去除其大部分，也可以認(rèn)為去除了干擾。對(duì)于突發(fā)性干擾信號(hào)，儀器盡可能地將采樣的干擾數(shù)據(jù)廢除，或宣布測試失敗，以數(shù)據(jù)結(jié)果的性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：用工頻５00Ｖ電壓加載５0ｐＦ電容，測量信號(hào)電流約８μＡ，無干擾時(shí)，快速測量測得介損為０.08％，抗干擾測量測得介損為０.08％；用２0000Ｖ工頻做干擾，距離被試品１0厘米，快速測量測得介損為１2.2３％，抗干擾測量測得介損為０.09％。
MCBPJ變頻介質(zhì)損耗測試儀
| tgδ范 圍 | 精度（正、反接法） |
| tgδ＜10% | △ tgδ:±（讀數(shù)*1.0%+0.040%） △ C x :±（讀數(shù)*1.0%+1.0PF） |
| 10%＜tgδ＜50% | △ tgδ:±（讀數(shù)*1.0%+0.040%） △ C x :±（讀數(shù)*1.0%+1.5PF） |
XG8000異頻全自動(dòng)介質(zhì)損耗儀
XG8000 異頻全自動(dòng)介質(zhì)損耗儀
| 1 | 使用條件 | -5℃∽40℃ | RH＜80% | ||
| 2 | 抗干擾原理 | 變頻法 | |||
| 3 | 電 源 | AC 220V±10% | 頻率無限制 | ||
| 4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | ||
| 精 度 | 2% | ||||
| 最大電流 | 200mA | ||||
| 容 量 | 2000VA | ||||
| 5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | 45HZ/55HZ | ||
| 6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.1pF | ||
| 7 | 精 度 | △tgδ:±（讀數(shù)*1.0%+0.040%） | |||
| △C x :±（讀數(shù)*1.0%+1.0PF） | |||||
| 8 | 測量范圍 | tgδ | 無限制 | ||
| C x | 15pF ＜ Cx ＜ 200nF | ||||
|
| 10KV | Cx ＜ 60 nF | |||
|
| 5KV | Cx ＜ 100 nF | |||
|
| 1KV | Cx ＜ 200 nF | |||
| CVT測試 | Cx ＜ 200 nF | ||||
| 9 | CVT變比范圍 | 10∽10000 | |||
| CVT變比精度 | 0.1% | ||||
| CVT變比分辨率 | 0.1 | ||||
| 10 | 外型尺寸 | 430（L）×330（W）×330（H） | |||
| 11 | 存儲(chǔ)器大小 | 80 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | |||
| 12 | 重 量 | 28 Kg | |||
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變壓器測試設(shè)備
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http://www.whxghd.com/html/products/bianyaqiceshishebei/show_56.html
http://www.whxghd.com/html/products/bianyaqiceshishebei/show_192.html
http://www.whxghd.com/html/products/bianyaqiceshishebei/show_57.html
http://www.whxghd.com/html/products/bianyaqiceshishebei/show_59.html
http://www.whxghd.com/html/products/bianyaqiceshishebei/show_58.html
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http://www.whxghd.com/html/products/bianyaqiceshishebei/show_60.html
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Z6000異頻介質(zhì)損耗測試儀
一、概述：
| | 使用條件 | -15℃∽40℃ | RH＜80% | ||
| | 抗干擾原理 | 變頻法 | |||
| | 電 源 | AC 220V±10% | 允許發(fā)電機(jī) | ||
| | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | ||
| 精 度 | 2% | ||||
| 最大電流 | 200mA | ||||
| 容 量 | 1500VA | ||||
| | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | 45HZ/55HZ | ||
| | 分辨率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.01pF | ||
| | 精 度 | △tgδ:±（讀數(shù)*1.0%+0.040%） | |||
| △C x :±（讀數(shù)*1.0%+1.00PF） | |||||
| | 測量范圍 | tgδ | 無限制 | ||
| Cx | 15pF ＜ Cx ＜ 300nF | ||||
| | 10KV | Cx ＜ 60 nF | |||
| | 5KV | Cx ＜ 150 nF | |||
| | 1KV | Cx ＜ 300 nF | |||
| | Cx ＜ 300 nF | ||||
| | CVT變比范圍 | 10∽10000 | |||
| CVT變比精度 | 0.1% | ||||
| CVT變比分辨率 | 0.01 | ||||
| | 外型尺寸 | 430（L）×330（W）×330（H） | |||
| | 存儲(chǔ)器大小 | 80 組支持U盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | |||
| | 重 量 | 28 Kg | |||
| 1-Z2550系列 指針式電動(dòng)兆歐表 | 2-Z2010系列智能雙顯絕緣電阻測試儀 |
| 3-Z2020系列智能絕緣電阻測試儀 | 4-Z3125 智能絕緣電阻測試儀 |
| 5-Z6000 異頻介質(zhì)損耗測試儀 | |
| 1-XCJH系列手動(dòng)耐壓箱（臺(tái)） | 2-ZYD系列智能耐壓箱（臺(tái)） |
| 3-YD系列油浸式試驗(yàn)變壓器 | 4-GTB系列干式試驗(yàn)變壓器 |
| 5-YDQ系列充氣式試驗(yàn)變壓器 | 6-YDL系列超輕型試驗(yàn)變壓器 |
| 7-ZTF系列串聯(lián)諧振耐壓裝置 | 8-ZVLF系列0.1Hz程控超低頻高壓發(fā)生器 |
| 9-ZGF系列直流高壓發(fā)生器 | 10-ZNGF系列直流高壓發(fā)生器 |
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| 9-Z6100 精密油介損自動(dòng)測試儀 | 10-ZIIJ-Ⅱ絕緣油介電強(qiáng)度測試儀 |
| 11-ZIIJ-Ⅲ絕緣油介電強(qiáng)度測試儀 | 12-ZSF81系列三倍頻發(fā)生器 |
| 1-ZGKC-6A 高壓開關(guān)動(dòng)特性測試儀 | 2-ZGKC-6B 高壓開關(guān)動(dòng)特性測試儀 |
| 3-ZHL系列回路電阻測試儀 | 4-ZNHL系列智能回路電阻測試儀 |
| 5-ZKD-Ⅱ真空開關(guān)真空度測試儀 | 6-ZGK-I 高低壓開關(guān)柜電源試驗(yàn)箱 |
| 7-ZGK-Ⅱ高低壓開關(guān)柜通電試驗(yàn)臺(tái) | 8-ZSL82系列大電流發(fā)生器 |
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| 1-ZMOA-Ⅱ氧化鋅避雷器直流參數(shù)測試儀 | 2-ZMOA-Ⅲ氧化鋅避雷器直流參數(shù)測試儀 |
| 3-ZLCD201 氧化鋅避雷器帶電測試儀 | 4-ZLCD202 氧化鋅避雷器帶電測試儀 |
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| 3-ZL2133 電纜故障智能測試儀 | 4-ZL2134 電纜識(shí)別儀 |
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| 7-Z2571 便攜式接地電阻測試儀 | 8-ETCR2000系列鉗形接地電阻測試儀 |
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| 1-ZJBS 繼電保護(hù)測試儀 | 2-ZJB802 微機(jī)繼電保護(hù)測試儀 |
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| 9-ETCR4000系列手持式雙鉗伏安相位表 | |
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HQ37-a北京華測供應(yīng)高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀
2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測量材料介損更為方便。3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外側(cè)接線及少。4、橋體采用了多樣化的介損測量
技術(shù)參數(shù)1、測量范圍及誤差 在Cn＝100pF R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí)測量項(xiàng)目 測量范圍 測量誤差電容量Cx 40pF－－20000pF ±0.5% Cx±2pF介質(zhì)損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4在Cn＝100pF R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時(shí)測量項(xiàng)目 測量范圍 測量誤差電容量Cx 4pF－－2000pF ±0.5% Cx±2pF介質(zhì)損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4Cx＝R4×Cn/R3tgδ＝ω?Ｒ４?Ｃ４高壓電源技術(shù)特性電壓輸出：0～2500V/50Hz高壓電流輸出：0～20mA內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器電容量的名義值為100pFtgδ小于5×10-5固體絕緣材料測試電本電適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對(duì)介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測試。本電主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對(duì)介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。本電的設(shè)計(jì)主要是參照標(biāo)GB1409-2006。本電采用的是三電式結(jié)構(gòu)，能xiao除表面漏電流的影響，使測量電下的電場趨于均勻電場。主要技術(shù)指標(biāo)儀器規(guī)格：47.5cm*35.5cm*41cm高低壓電之間距離：0～14mm可調(diào)測量直徑：￠38±0.1mm高壓電直徑：￠56±0.1mm測量與保護(hù)環(huán)間隙為1±0.05空tgδ：≤5×10-5測試電壓：2kV實(shí)驗(yàn)頻率：50/60Hz常溫或耐受溫度200℃(數(shù)字百分表不能加溫）帶數(shù)字百分表測量范圍為0~12mm制作技術(shù)指標(biāo)依據(jù)GB/T1303.2－－-2009注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用用插座（帶用插頭）。性能特點(diǎn)1、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對(duì)地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有個(gè)2500KV的高壓電源及臺(tái)高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在起，特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測量材料介損更為方便。3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外側(cè)接線及少。4、橋體采用了多樣化的介損測量影響介電性能的因素下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。 1）頻率因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的ε和taδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是性分子引起的偶子化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面化所引起的。2）溫度損耗指數(shù)在個(gè)頻率下可以出現(xiàn)個(gè)至大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)至大值位置。3）濕度化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的。 注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHZ以下及微波頻率范圍內(nèi)。4）電場強(qiáng)度存在界面化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)至大值的大小和位置也隨此而變。在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)。部分典型用戶玉環(huán)縣中德塑膠有限公司