JK9610AMOS管測(cè)試儀

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一、概述 　　

       JK9610A型MOS管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以測(cè)量擊穿電VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采 用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性 能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。

          二、主要技術(shù)性能 　　　　

        1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 　　　　

        2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。 　　　　

        3、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。 　　　　

        4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。 　　　

    　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

        三、主要測(cè)試功能 　　　　

        1、MOS管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。 　　　　

        2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。 　　　　

        3、MOS管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。 　　　　

        4、對(duì)其它更大電流和MOS管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。 　　　

    　5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。 　　　　

        6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。

       四、測(cè)試盒與測(cè)試線 　　　　

        1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。 　　　

    　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

 

 

測(cè)試實(shí)例

型號(hào)

  

 擊穿電壓

Vdss

 開(kāi)啟電壓

Vgs（th）

 跨導(dǎo)S

Gfs

 Gfs

測(cè)試電流

 標(biāo)稱電流

ID

 標(biāo)稱功率

PD

 封裝
IRF640

 基本參數(shù)

 200V

 2-4V

 ≥6.8

 11A

18A

150W

TO-220
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 225V

 3.0V

 12

 11A

 

  

  

  
IRF1010

 基本參數(shù)

 60V

 2-4V

 ≥69

 50A

84A

200W

TO-220
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 66V

 3.2V

 67

 50A

 

  

  

  
IRF3205

 基本參數(shù)

 55V

 2-4V

 ≥44

 62A

110A

200W

TO-220
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 60V

 2.9V

 68

 60A

 

  

  

  
FQP70N08

 基本參數(shù)

 80V

 2-4V

 41

 35A

70A

155W

TO-220
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 86V

 3.2V

 46

 35A

 

  

  

  
75NF75

 基本參數(shù)

 75V

 2-4V

 20

 40A

80A

300W

TO-220
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 81V

 3.6V

 52

 40A

 

  

  

  
IRFP064

 基本參數(shù)

 55V

 2-4V

 ≥42

 59A

110A

200W

TO-3P
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 67V

 2.5V

 57

 60A

 

  

  

  
2SK1120

 基本參數(shù)

 1000V

 2.5-5V

 4

 4A

8A

150W

TO-3P
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 1086V

 2.3V

 5

 4A

 

  

  

  
G160N60

 基本參數(shù)

 600V

 3.5-6.5V

 *

 80A

160A

250W

TO-247
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 626V

 3.9V

 35

 60A

 

  

  

  
H40T120

 基本參數(shù)

 1200V

 5-6.5V

 21

 40A

75A

270W

TO-247
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 1390V

 5.7V

 20

 40A

 

 

  
60N170D

 基本參數(shù)

 1700V

 3.5-7.5V

  

  

 60A

200W

TO-247
 

 實(shí)測(cè)參數(shù)

 1798V

 4.8V

 30

 60A

 

 

  

 

JK9610AJK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀(MOS管測(cè)試儀)

詳細(xì)說(shuō)明
主要技術(shù)性能 　　　　
        1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 　　　　
        2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。 　　　　
        3、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。 　　　　
        4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。 　　　
    　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。
        三、主要測(cè)試功能 　　　　
        1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。 　　　　
        2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。 　　　　
        3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。 　　　　
        4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。 　　　
    　5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。 　　　　
        6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。
       四、測(cè)試盒與測(cè)試線 　　　　
        1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。 　　　
    　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
 
 
測(cè)試實(shí)例
型號(hào)
 
擊穿電壓
Vdss
開(kāi)啟電壓
Vgs（th）
跨導(dǎo)S
Gfs
Gfs
測(cè)試電流
標(biāo)稱電流
ID
標(biāo)稱功率
PD
封裝
IRF640
基本參數(shù)
200V
2-4V
≥6.8
11A
18A
150W
TO-220
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
225V
3.0V
12
11A
 
 
 
IRF1010
基本參數(shù)
60V
2-4V
≥69
50A
84A
200W
TO-220
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
66V
3.2V
67
50A
 
 
 
IRF3205
基本參數(shù)
55V
2-4V
≥44
62A
110A
200W
TO-220
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
60V
2.9V
68
60A
 
 
 
FQP70N08
基本參數(shù)
80V
2-4V
41
35A
70A
155W
TO-220
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
86V
3.2V
46
35A
 
 
 
75NF75
基本參數(shù)
75V
2-4V
20
40A
80A
300W
TO-220
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
81V
3.6V
52
40A
 
 
 
IRFP064
基本參數(shù)
55V
2-4V
≥42
59A
110A
200W
TO-3P
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
67V
2.5V
57
60A
 
 
 
2SK1120
基本參數(shù)
1000V
2.5-5V
4
4A
8A
150W
TO-3P
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
1086V
2.3V
5
4A
 
 
 
G160N60
基本參數(shù)
600V
3.5-6.5V
*
80A
160A
250W
TO-247
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
626V
3.9V
35
60A
 
 
 
H40T120
基本參數(shù)
1200V
5-6.5V
21
40A
75A
270W
TO-247
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
1390V
5.7V
20
40A
 
 
 
60N170D
基本參數(shù)
1700V
3.5-7.5V
 
 
60A
200W
TO-247
 
實(shí)測(cè)參數(shù)
1798V
4.8V
30
60A
 

 

                           JK9610AMOS管測(cè)試盒

該公司產(chǎn)品分類： PM-83（三頭）等離子表面處理機(jī) PM-82（雙頭）等離子表面處理機(jī) GM-2000等離子表面處理機(jī) PM-V8等離子表面處理機(jī) 等離子處理機(jī) LCR數(shù)字電橋 晶體管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀 元器件測(cè)試儀器 RC系列帶電繞組溫升測(cè)試儀 JK-X系列多路溫度測(cè)試儀(多路溫度巡檢儀) 溫度儀器儀表 KZA-III 系列叉車充電機(jī) KZA系列智能充電機(jī) TXR1010系列X射線高壓電源 SVC系列單相高精度全自動(dòng)交流穩(wěn)壓器 JSW系列三相精密凈化交流穩(wěn)壓電源 JJW系列單相精密凈化交流穩(wěn)壓器 YFT系列風(fēng)光互補(bǔ)逆變電源 YFN系列正弦波逆變器(逆變電源)

QT2,晶體管圖示儀,二極管測(cè)試儀,MOS管測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀

QT2晶體管圖示儀 及二手儀器銷售維修

說(shuō)明書下載

電路圖紙下載

  • QT2型晶體管特性圖示儀可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二極管、三極管的低頻直流參數(shù)。
  • 最大集電極電流可達(dá)50A，基本滿足500W以下的半導(dǎo)體管的測(cè)試。
  • 具備高壓測(cè)試能力，可對(duì)3KV（5KV）\\以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試，其測(cè)試電流靈敏度可達(dá)到0.5uA/度。
  • 基極階梯信號(hào)具有脈沖階梯輸出，可測(cè)量二次擊穿特性。

集電極掃描信號(hào) （輸出電壓范圍/電流容量）三極管和二極管 0～10V / 50A （脈沖階梯） 20A（平均值） 0～50V / 10A （平均值） 0～100V / 5A （平均值） 0～500V / 0.5A （平均值）二極管高壓測(cè)試 0～5KV（3KV） / 5mA （最大）

基極階梯信號(hào)

  • 階梯電流:1uA～200mA/級(jí)，分17檔
  • 階梯電壓:0.05～1V/級(jí)，分5檔
  • 階梯波形:正常（100%），脈沖（10～40%）

Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

  • 集電極電流:1uA～5A/度，分21檔
  • 二極管電流:1～500uA/div，分9檔
  • 集電極及二極管電流倍率:×0.5

X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

  • 集電極電壓:10mV～50V/度，分12檔
  • 二極管電流:100～500V/度，分3檔
  • 基電極電壓:10mV～1V/度，分7檔

一般性能

  • 顯示面10×10div（1div=0.8cm）
  • 視在功率 約80VA
  • 約300VA（最大功率）
  • 外形尺寸 30×40×52cm
  • 重量 30kg

反向擊穿電壓測(cè)試

  • VCBO 集電極 - 基極 （發(fā)射極開(kāi)路）
  • VEBO 發(fā)射極 - 基極 （集電極開(kāi)路）
  • VCEO 集電極 - 發(fā)射極 （基極開(kāi)路）
  • VCER 集電極 - 發(fā)射極 （基極與發(fā)射極間電阻連接）
  • VCES 集電極 - 發(fā)射極 （基極與發(fā)射極短路）

各種特性曲線

  • VCE - IC 共發(fā)射極 （基極信號(hào)為變量）
  • IB - IC 共發(fā)射極
  • VBE - IB 共發(fā)射極
  • VBE - IO 共發(fā)射極

該公司產(chǎn)品分類： 微波信號(hào)源 IQ調(diào)制信號(hào)源 網(wǎng)絡(luò)分析儀 動(dòng)態(tài)信號(hào)分析儀 射頻信號(hào)發(fā)生器 視頻分析儀 音頻分析儀 探頭 電纜 測(cè)試線 電視信號(hào)發(fā)生器 音頻信號(hào)發(fā)生器 噪聲發(fā)生器 任意波發(fā)生器 函數(shù)信號(hào)源 脈沖信號(hào)源 RF信號(hào)源 高頻信號(hào)源 低頻信號(hào)源 信號(hào)發(fā)生器 手持示波表 二手?jǐn)?shù)字示波器

最新產(chǎn)品
熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見(jiàn)分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)（PH計(jì)） 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑